N-typ Reverse-elektrode germaniumdetektor (REGe)

Reverse-elektrode (REGe) detektoren ligner i geometri på andre koaksiale germaniumdetektorer, men med en viktig forskjell. Elektrodene til REGe-detektoren er motsatt av den konvensjonelle koaksiale detektoren, i den forstand at p-type elektroden (ion-implantert bor) er på utsiden, og n-type kontakten (diffundert litium) er på innsiden. Det er to fordeler med denne elektrodeoppstillingen – vinduets tykkelse og motstand mot strålingsskader.

Den ion-implanterte kontakten på utsiden er ekstremt tynn (0,3 μm) sammenlignet med en litium-diffundert kontakt, noe som gjør at REGe-detektoren kan dekke et bredt energiområde fra 3 keV opp til flere MeV. REGe-detektorer er vanligvis utstyrt med et vindu av karbonkompositt som er robust og gir utmerket overføring ned til under 10 keV. Vinduer av beryllium eller aluminium er også tilgjengelige. Aluminium foretrekkes når det ikke er interesse for energier under 20 keV, og forbedret robusthet er ønskelig. Beryllium bør velges for å utnytte detektorens kapasitet for lav energi (ned til 3 keV) fullt ut.

Det er funnet at strålingsskader, hovedsakelig på grunn av nøytroner eller ladde partikler, forårsaker hullfanging i germanium. I motsetning til tilfellet med den konvensjonelle koaksiale detektoren, samles hullene av den ytre elektroden til REGe-detektoren. Siden en mye større del av det aktive detektorvolumet er plassert innenfor en gitt avstand, ∆R, fra den ytre kontakten, enn fra den indre kontakten (Volum ≈ R2), følger det at hullene i gjennomsnitt har mindre avstand å reise hvis de tiltrekkes av den ytre kontakten enn hvis de tiltrekkes av den indre kontakten. Med mindre avstand å reise, er de mindre sannsynlig å bli fanget i strålingsskadet materiale. Omfanget av forbedret motstand mot strålingsskader avhenger selvfølgelig av andre fakta, men eksperimentelle bevis tyder på at REGe-detektoren kan være 10 ganger så motstandsdyktig mot skader som konvensjonelle koaksiale germaniumdetektorer.

• Spektroskopi fra 3 keV til >10 MeV
• Ultra-tynne ionimplanterte kontakter
• Motstandsdyktig mot strålingsskader
• Utmerket tidoppløsning
• Høy energiratekapasitet
• Utrustet med Intelligent
• Forforsterker Diode FET-beskyttelse
• Oppvarming / HV-avstengning
• USB 2.0 Seriell Grensesnitt